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          MOS管的正確選擇指南

          作者: 深圳市昂洋科技有限公司發(fā)表時(shí)間:2024-10-22 11:38:44瀏覽量:95

          MOS管的正確選擇涉及多個(gè)步驟和參數(shù)考量,以下是一個(gè)詳細(xì)的指南: 一、確定溝道類(lèi)型 N溝道MOS管:適用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān),當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)...
          文本標(biāo)簽:

          MOS管的正確選擇涉及多個(gè)步驟和參數(shù)考量,以下是一個(gè)詳細(xì)的指南:




          一、確定溝道類(lèi)型


          N溝道MOS管:適用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān),當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)選用N溝道MOS管,這是出于對(duì)封閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。


          P溝道MOS管:適用于高壓側(cè)開(kāi)關(guān),當(dāng)MOS管連接到總線(xiàn)及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲羞x用P溝道MOS管,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。


          二、確定額定電壓


          最大VDS:必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓。這個(gè)值會(huì)隨著溫度的變化而變化,因此需要在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。


          留有電壓余量:為了確保電路不會(huì)失效,額定電壓應(yīng)大于干線(xiàn)電壓或總線(xiàn)電壓,并留有足夠的余量(通常為1.2~1.5倍)。


          考慮電壓瞬變:還需要考慮由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,以確保MOS管能夠承受這些瞬變電壓。


          三、確定額定電流

          連續(xù)模式:確定MOS管在連續(xù)導(dǎo)通模式下的最大電流。連續(xù)模式是指MOS管處于穩(wěn)態(tài),電流連續(xù)通過(guò)器件。


          脈沖尖峰:確定MOS管在脈沖尖峰下的最大電流。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。


          留有電流余量:為了確保MOS管不會(huì)因過(guò)載而損壞,所選的MOS管應(yīng)能承受這些條件下的最大電流,并留有足夠的余量。


          四、考慮導(dǎo)通損耗


          RDS(ON):MOS管在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器件的RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)所確定。RDS(ON)會(huì)隨溫度和電流的變化而變化,從而影響功率耗損。


          選擇RDS(ON)小的MOS管:為了減小導(dǎo)通損耗,應(yīng)選擇RDS(ON)較小的MOS管。然而,RDS(ON)的減小往往會(huì)導(dǎo)致晶片尺寸的增加和成本的上升,因此需要在性能和成本之間進(jìn)行權(quán)衡。


          五、確定散熱要求


          計(jì)算散熱要求:需要計(jì)算在最壞情況和真實(shí)情況下的散熱要求,并選用能提供更大安全余量的計(jì)算結(jié)果。


          查看熱阻和最大結(jié)溫:在MOS管的資料表上查看封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻以及最大的結(jié)溫,以計(jì)算系統(tǒng)的最大功率耗散。


          六、考慮開(kāi)關(guān)性能


          電容影響:柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容會(huì)在每次開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生充電損耗,從而降低MOS管的開(kāi)關(guān)速度和效率。


          計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗:為了計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗,需要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。


          選擇開(kāi)關(guān)速度快的MOS管:對(duì)于需要高速開(kāi)關(guān)的電路,應(yīng)選擇開(kāi)關(guān)速度較快的MOS管。然而,這通常會(huì)導(dǎo)致成本的上升和RDS(ON)的增加,因此需要在性能和成本之間進(jìn)行權(quán)衡。


          七、選擇封裝類(lèi)型


          根據(jù)電路板空間、散熱需求和生產(chǎn)工藝選擇合適的封裝類(lèi)型。封裝尺寸和熱性能會(huì)影響MOS管的安裝和散熱效果。


          八、考慮特殊應(yīng)用需求


          低壓應(yīng)用:對(duì)于低壓應(yīng)用(如使用5V或3V電源的場(chǎng)合),需要特別注意MOS管的gate電壓限制。


          寬電壓應(yīng)用:可能需要內(nèi)置穩(wěn)壓管的MOS管來(lái)限制gate電壓的幅值。


          雙電壓應(yīng)用:可能需要使用特定的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)低壓側(cè)對(duì)高壓側(cè)MOS管的有效控制。


          九、評(píng)估制造商的可靠性和質(zhì)量保證


          對(duì)于高可靠性應(yīng)用,可能需要選擇車(chē)規(guī)級(jí)或其他特定標(biāo)準(zhǔn)的MOS管。


          十、考慮成本和供貨穩(wěn)定性


          在滿(mǎn)足性能要求的前提下,考慮MOS管的成本以及供應(yīng)商的交貨期和供應(yīng)穩(wěn)定性。


          綜上所述,選擇MOS管時(shí)需要考慮多個(gè)參數(shù)和步驟,以確保所選的MOS管能夠滿(mǎn)足特定應(yīng)用的要求。

          2024-10-22 95人瀏覽
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