電阻又稱(chēng)之為瓷介電容器,瓷介電容器便是物質(zhì)原材料為瓷器的電容器,依據(jù)結(jié)構(gòu)陶瓷的不一樣,可以分為低頻率瓷器電容器和高頻率瓷器電容器兩大類(lèi),按結(jié)構(gòu)形式歸類(lèi),又可分為圓片狀電容器、筒狀電容器、矩形框電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種多樣。
電阻又稱(chēng)之為瓷介電容器,瓷介電容器便是物質(zhì)原材料為瓷器的電容器,依據(jù)結(jié)構(gòu)陶瓷的不一樣,可以分為低頻率瓷器電容器和高頻率瓷器電容器兩大類(lèi),按結(jié)構(gòu)形式歸類(lèi),又可分為圓片狀電容器、筒狀電容器、矩形框電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種多樣。
圖中為貼片電容 0603 X7R 104K(100nF) 50V &plu ** n;10%,購(gòu)置于電子元件采購(gòu)平臺(tái)油柑網(wǎng),油柑網(wǎng)整場(chǎng)8.8免郵,有購(gòu)置要求的朋友們可以看一看,還能免費(fèi)領(lǐng)試品喲!
貼片電容歸類(lèi)
NPO是一種最常見(jiàn)的具備溫度補(bǔ)償特點(diǎn)的片式瓷器電容器。它的添加物質(zhì)是由銣、釤和一些其他稀缺金屬氧化物構(gòu)成的。
NPO電容器是容量和介電損耗最平穩(wěn)的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時(shí)容積轉(zhuǎn)變?yōu)?&plu ** n;30ppm/℃,容量隨工作頻率的轉(zhuǎn)變低于&plu ** n;0.3ΔC。NPO電容器的飄移或落后低于&plu ** n;0.05%,相對(duì)性超過(guò)&plu ** n;2%的薄膜電容而言是可以忽略的。其典型性的數(shù)量相對(duì)性使用期限的轉(zhuǎn)變低于&plu ** n;0.1%。NPO電容器隨封裝類(lèi)型不一樣其容量和介電損耗隨工作頻率轉(zhuǎn)變的特征也不一樣,大封裝形式規(guī)格的要比小封裝形式規(guī)格的頻率特點(diǎn)好。下表得出了NPO電容器可選擇的功率范疇。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器合適用以震蕩器、諧振器的槽路電容器,及其高頻電路中的濾波電容。
X7R電容器被稱(chēng)作溫度沉穩(wěn)型的瓷器電容器。當(dāng)環(huán)境溫度在-55℃到 125℃時(shí)其容積轉(zhuǎn)變?yōu)?5%,必須留意的是這時(shí)電容器容積轉(zhuǎn)變是非線性的。
X7R電容器的容積在不一樣的工作電壓和工作頻率標(biāo)準(zhǔn)下是不一樣的,它也隨時(shí)間的變動(dòng)而轉(zhuǎn)變,大概每10年轉(zhuǎn)變1%ΔC,主要表現(xiàn)為10年轉(zhuǎn)變了約5%。
X7R電容器關(guān)鍵運(yùn)用于規(guī)定不高的工業(yè)生產(chǎn)運(yùn)用,并且當(dāng)工作電壓轉(zhuǎn)變時(shí)其容積轉(zhuǎn)變是可以接納的前提下。它的主要特點(diǎn)是在同樣的容積下容量可以做的較為大。下表得出了X7R電容器可選擇的功率范疇。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
Z5U電容器稱(chēng)之為”通用性”瓷器片式電容器。這兒最先必須考慮到的是應(yīng)用溫度范圍,針對(duì)Z5U電容器關(guān)鍵的是它的小規(guī)格和成本低。針對(duì)以上三種瓷器片式電容器起來(lái)說(shuō)在同樣的容積下Z5U電容器有較大的容量。但它的容量受自然環(huán)境和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)危害比較大,它的衰老率較大可達(dá)每10年降低5%。
雖然它的容積不穩(wěn)定,因?yàn)樗行∪莘e、等效電路串連電感器(ESL)和等效電路串聯(lián)電阻(ESR)低、優(yōu)良的相頻特性,使其具備普遍的運(yùn)用范疇。尤其是在退耦電源電路的使用中。下表得出了Z5U電容器的取值范圍。
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U電容器的一些性能指標(biāo)如下所示:
操作溫度范疇10℃ --- 85℃
溫度特點(diǎn) 22% ---- -56%
介電損耗較大 4%
Y5V電容器是一種有一定溫度限定的通用性電容器,在-30℃到85℃范疇內(nèi)其容積轉(zhuǎn)變可達(dá) 22%到-82%。
Y5V的高相對(duì)介電常數(shù)容許在較小的物理學(xué)規(guī)格下生產(chǎn)出達(dá)到4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下所示表所顯示
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V電容器的一些性能指標(biāo)如下所示:
操作溫度范疇 -30℃ --- 85℃
溫度特點(diǎn) 22% ---- -82%
介電損耗 較大 5%
貼片式電容器命名方法可到 ** X網(wǎng)址上尋找。不一樣的企業(yè)命名方法很有可能略有不同。
貼片電容型號(hào)選擇因素
型號(hào)選擇因素
主要參數(shù)包括電容器值、輸出精度、抗壓、應(yīng)用溫度、規(guī)格,材料和直流電偏置效用。
物質(zhì)的特性
C0G電容器具備高溫度補(bǔ)償特點(diǎn),合適作旁路電容和濾波電容
X7R電容器是溫度沉穩(wěn)型瓷器電容器,合適規(guī)定不高的工業(yè)生產(chǎn)運(yùn)用
Z5U電容器特性是小規(guī)格和成本低,特別是在合適運(yùn)用于去耦電源電路
Y5V電容器溫度特點(diǎn)最爛,但容積大,可替代低容電解電容器
MLCC常見(jiàn)的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等差異的物質(zhì)規(guī)格型號(hào),不一樣的尺寸有不一樣的特性和主要用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的關(guān)鍵差別是他們的添加物質(zhì)不一樣。在同樣的容積下因?yàn)樘沓湮镔|(zhì)不一樣所構(gòu)成的電容器的容積就不一樣,隨著產(chǎn)生的電容器的介電損耗、容積可靠性等也就不一樣,因此在應(yīng)用電容器時(shí)要依據(jù)電容器在線路中功效不一樣來(lái)采用不一樣的電容器。
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