芯聯(lián)LDO選型分享昂洋科技
作者： 昂洋運(yùn)營部發(fā)表時(shí)間：2022-08-15 16:23:46瀏覽量：1695【小中大】
芯聯(lián) LDO——最基本的電源IC，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。
文本標(biāo)簽：芯聯(lián)LDO
芯聯(lián)LDO——最基本的電源IC，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。
芯聯(lián)LDO——最基本的電源IC，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。
正輸出電壓的芯聯(lián)LDO（低壓降）穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設(shè)備）作為 PNP。這種晶體管允許飽和，所以穩(wěn)壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右；與之相比，使用 NPN 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2V 左右。負(fù)輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設(shè)備，其運(yùn)行模式與正輸出 LDO 的 PNP設(shè)備類似
芯聯(lián)LDO看似簡單，在實(shí)際選型應(yīng)用中還是有很多需要注意的地方，下面分幾點(diǎn)概要述說下LDO選型需要注意的點(diǎn)：
1. 實(shí)際應(yīng)用時(shí)輸入電壓-輸出電壓較大時(shí)需評估Power Dissipation, PD是否可以滿足，而不只 看芯片標(biāo)稱的輸出電流能力。
2. 實(shí)際應(yīng)用時(shí)輸入電壓-輸出電壓較小時(shí)需評估Dropout Voltage是否足夠，需滿足：輸入電壓輸出電壓>Dropout Voltag。
3. 使用輸出可調(diào)型號時(shí)，F(xiàn)B電阻需放在靠芯片且上偏電阻取在電容之后，還需確認(rèn)規(guī)格書對阻 值是否有要求，一般阻值選取越小抗干擾越強(qiáng)，但取樣電阻上損耗會加大，取大可能造成輸出 電壓不穩(wěn)定。
4. LDO輸出端接有其它電壓源時(shí)需考慮LDO內(nèi)部MOS體內(nèi)二極的存在，一般規(guī)格書未有標(biāo)注，需 選用防反灌型號。
5. 評估PD是否足夠時(shí) ，需注規(guī)格書標(biāo)注的測試條件，一般應(yīng)用時(shí)，如無法達(dá)到規(guī)格書測試條件 ，應(yīng)以實(shí)物實(shí)測溫度來評估。
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2022-08-15
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