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          PIP-MOS管

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          MOS高壓場效應(yīng)650v 2A 5Ω管 產(chǎn)品型號(hào):PTx02N65

          • MOS高壓場效應(yīng)650v 2A 5Ω管
          產(chǎn)品簡介:PIP高壓場效應(yīng)管,額定電壓650v;額定電流2A;阻值范圍4Ω~5Ω;閾值電壓(Vth)范圍2V~4V;導(dǎo)通柵極電荷量9nc;Ciss寄生電容290pF。
          重點(diǎn)參數(shù):
          額定電壓(DC)
          650V
          寄生電容 650pF
          額定電流 2A 電阻范圍 4Ω~5Ω
          產(chǎn)品應(yīng)用:

          產(chǎn)品詳情

          PIP-MOS場效應(yīng)管
          額定電壓 650V
          額定電流
          2A
          阻值范圍
          4Ω~5Ω
          閾值電壓(Vth)
          2V~4V
          導(dǎo)通柵極電荷量(og,nc
          9nc
          寄生電容(Ciss
          650pF
          其它型號(hào)
          PSx04N65
          650V_4A_(1.9~2.9)Ω_15nc_544pF
          PSx04N65C
          650V_4A_(2.0~2.5)Ω_17.5nc_650pF
          PSx04N65B
          650V_4A_(2.1~2.5)Ω_8.5nc_450pF
          PTxOSN65
          650V_5A_(2.0~2.5)Ω_17nc_650pF
          PTx06N65C 650V_6A_(1.55~1.85)Ω_16nc_660pF
          P5x07N65 650V_7A_(1.1~1.4)Ω_25nc_1050pF
          PTx07N65B
          650V_7A_(1.2~1.4)Ω_20nc_1120pF
          PTx08N65
          650V_8A_(0.95~1.3)Ω_28nc_1240pF
          PTxlON65B
          650V_10A_(0.75~0.9)Ω_32nc_1660pF
          PSxlON65C
          650V_10A_(0.7~0.85)Ω_43nc_1340pF
          PTx12N65
          650V_12A_(0.6~0.75)Ω_52nc_1900pF
          PTxl3N65
          650V_13A_(0.55~0.65)Ω_46nc_2130pF
          PTx16N65
          650V_16A_(0.45~0.55)Ω_54nc_2442pF
          PTx20N6SA
          650V_20A_(0.33~0.5)Ω_65nc_2600pF
          PTx26N65
          650V_26A_(0.28~0.38)Ω_78nc_4200pF
          PTW34N65
          650V_34A_(0.13~0.19)Ω_150nc_7400pF
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          注解:例如,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF

          1、200V為MOS額定電壓;

          2、9A為MOS額定電流;

          3、(0.3~0.25)Ω為MOS阻值范圍;

          4、16nc為MOS柵極電荷Qg;

          5、670pF為Ciss寄生電容;


          封裝類型

          TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


          產(chǎn)品應(yīng)用

          產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛, 涵蓋電子類多個(gè)領(lǐng)域, 如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動(dòng)汽車等;


          相關(guān)知識(shí)

          1、Ciss寄生電容,最大限度降低開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

          2、RDSON為內(nèi)阻,作為開關(guān)電源的主開關(guān)MOS,以上都能能夠滿足大部分的應(yīng)用需求。

          3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開關(guān)完全打開,Gate極所需要的電荷量。

          4、Vth通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。

          產(chǎn)品報(bào)價(jià):MOS高壓場效應(yīng)650v 2A 5Ω管

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